۳-۳- جامعه ی آماری ۴۱
۳-۴- روش نمونه گیری و روش برآورد حجم نمونه ۴۲
۳-۵- ابزار اندازه گیری ۴۲
۳-۶- شیوه تجزیه و تحلیل داده ها ۴۳
۳-۷- پایایی پرسشنامه سبک‌های فرزندپروری ۴۳
:  
۴-۱ - مقدمه ۴۶
۴ -۲- آمار توصیفی ۴۶
۴-۳- توصیف داده ها ۴۷
۴ -۴ آمار استنباطی ۴۸
۴-۵- بررسی مدل علی‌تحقیق ۵۵
: 
۵-۱- مقدمه ۵۷
۵-۲- بحث و نتیجه گیری پیرامون یافته های پژوهش ۵۷
۵-۳- پیشنهادها ۶۲
۵-۳-۱- پیشنهادهای کاربردی ۶۲
۵-۳-۲- پیشنهادهایی برای تحقیقات آتی ۶۲

( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

۵-۴- محدودیت های پژوهش ۶۳
منابع و مآخذ ۶۴
پیوست ها ۷۱
چکیده انگلیسی ۷۵
فهرست جدول‌‌ها
عنوان صفحه
جدول ۳-۱: پایایی پرسشنامه‌ی سبک‌های فرزندپروری ۴۴
جدول ۴-۱- انواع سبکهای فرزندپروری در بین نمونه آماری ۴۷
جدول ۴-۲ اولویتبندی انواع سبکهای فرزندپروری و آمارههای مربوط به آنها ۴۷
جدول ۴-۳- آزمون همبستگی بین سبک فرزندپروری قاطعانه و عملکرد تحصیلی فرزندان ۴۹
جدول ۴-۴- آزمون همبستگی بین سبک فرزندپروری سهل گیرانه و عملکرد تحصیلی فرزندان ۴۹
جدول ۴-۵- آزمون همبستگی بین سبک فرزندپروری استبدادی و عملکرد تحصیلی فرزندان ۵۰
جدول ۴-۶ - آزمون معناداری تفاوت بین عملکرد تحصیلی فرزندان دارای والدین همراه با رفتار قاطعانه در مقایسه با فرزندان دارای والدین همراه با رفتار مستبدانه ۵۱
جدول ۴-۷- آزمون معناداری تفاوت بین عملکرد تحصیلی فرزندان دارای والدین همراه با رفتار استبدادی در مقایسه با فرزندان دارای والدین همراه با رفتار سهلگیرانه ۵۲
جدول ۴-۸- آزمون معناداری تفاوت بین عملکرد تحصیلی فرزندان دارای والدین همراه با رفتار سهل‌گیرانه در مقایسه با فرزندان دارای والدین همراه با رفتار قاطعانه ۵۳
جدول ۴-۹-نتایج تحلیل واریانس متغیرهای مستقل و وابسته وارد شده در معادله‌ی رگرسیون ۵۴
جدول ۴-۱۰- میزان ضرایب استاندارد رگرسیون متغیرهای مستقل بر عملکرد تحصیلی ۵۵
فهرست نمودارها
عنوان صفحه
نمودار ۴-۱ بررسی توزیع انواع سبک های فرزندپروری ۴۸
چکیده:
هدف اصلی پژوهش حاضر بررسی رابطه­ بین شیوه فرزندپروری والدین با عملکرد تحصیلی دانش آموزان سال دوم دوره ­اول مقطع متوسطه شهر ایلام می­باشد. برای دستیابی به این هدف، سوالات و فرضیاتی مطرح و از طریق پیمایشی به گردآوری اطلاعات اقدام گردید. نمونه آماری پژوهش حاضر را دانش ­آموزان سال دوم دوره متوسطه اول به همراه والدین آن­ها تشکیل داده که از میان آن­ها و بر اساس فرمول کوکران تعداد ۳۴۰ نفر به عنوان حجم نمونه انتخاب گردید. برای جمع­آوری داده ­ها از پرسشنامه­ شیوه ­های فرزندپروری دیاناباوم­ریند استفاده شد. یافته­های پژوهش نشان می­دهد که۲/۶۵ درصد خانواده ها دارای سبک فرزندپروری قاطعانه، ۴/۲۲ درصد دارای سبک فرزندپروری استبدادی و ۴/۱۲ درصد نیز سهل­گیر هستند. نتایج حاصل از تحلیل داده ­ها بیانگر رابطه مثبت و معنادار بین سبک فرزندپروری قاطعانه والدین و عملکرد تحصیلی فرزندان بوده اما بین سبک فرزندپروری سهل­گیرانه و سبک مستبدانه والدین با عملکرد تحصیلی فرزندان همبستگی منفی و معناداری وجود دارد. همچنین عملکرد تحصیلی فرزندانی که والدین آن­ها از سبک فرزندپروری قاطعانه استفاده می­ کنند بهتر از سبک­های سهل­گیرانه و استبدادی بوده است. نتایج حاصل از تحلیل رگرسیون چند متغیره، نشان داد که ۲/۴۲ از کل تغییرات متغیر عملکرد تحصیلی، وابسته به ۳ متغیر ذکر شده در این معادله می‌باشد.بیشترین میزان اثر بر متغیر وابسته، مربوط به سبک مستبدانه با اندازه اثر ۴۴۶/۰- و کمترین میزان اثر، مربوط به متغیر سبک سهل­گیرانه با اندازه اثر ۰۷۶/۰- است. نتایج این تحقیق نشان می­دهد که غیر موثرترین سبک فرزندپروری، روش مستبدانه است.
کلیدواژه­ها: فرزندپروری – سبک قاطعانه – سبک سهل­گیرانه – سبک استبدادی – عملکرد تحصیلی
فصل اول
کلیات تحقیق
۱-۱- مقدمه:
اساس توسعه علمی‌هر جامعه­ای را آموزش و پرورش آن جامعه تشکیل می­دهد، و در این راستا توجه به کیفیت آموزشی و ارتقاء سطح علمی‌و عملکرد تحصیلی نوجوانان و جوانان، سبب استحکام ساختار علمی‌جامعه و حرکت درست در زمینه­ توسعه علمی‌آن می­گردد. از این­رو جستجوی راه­های افزایش سطح علمی‌افراد و پیشرفت تحصیلی در برگیرنده­ی استعداد، توانایی و کار دانش آموز است. این یک عنصر چند بعدی است. این عنصر به گونه ای بسیار ظریف به رشد جسمی، اجتماعی، شناختی و عاطفی مربوط است و به یک مورد خاص ارتباط ندارد ، بلکه طی زمان و در زندگی دانش آموزان در مدارس عمومی‌و در سال­های دانشگاه و زندگی کاری خود را نشان می‌دهد (استنبرگ^[۱]، ۱۹۹۳، به نقل از پرویز، ۱۳۸۴).رفع موانع عملکرد بهتر تحصیلی نوجوانان و جوانان از ضروریاتی است که باید بدان توجه گردد.
از طرف دیگر پیشرفت تحصیلی به عنوان یک متغیر وابسته، همواره مورد توجه محققان قرار گرفته است. یادگیری و پیشرفت تحصیلی در گرو عوامل بیشماری است که به سادگی قابل شناسایی و کنترل نیست. در بررسی عوامل مؤثر در پیشرفت تحصیلی باید به دو دسته عوامل، یکی عوامل مربوط به دانش‌آموز و ویژگی‌های فرد و بطور کلی آنچه تفاوت فردی اطلاق می‌شود و عامل دوم، عوامل مربوط به مدرسه و نظام آموزش و پرورش، عوامل خانوادگی و غیره اشاره نمود. به عبارتی پیشرفت (افت) تحصیلی گاه به علت خصایص، ویژگی‌ها، شاخص‌های ذهنی، اجتماعی، عاطفی خود دانش‌آموز و گاه به علت کارکردهای مدرسه و سیستم درونی آموزش و پرورش، نهاد خانواده و یا سایر نهادهای جامعه است.
از جمله عوامل مرتبط با پیشرفت تحصیلی، چگونگی ارتباط والدین با فرزندان و به نوعی دیگر شیوه ­های فرزندپروری آن­ها می­باشد. برای تبیین رابطه سبک فرزندپروری با رفتارهای کودکان، تحقیقات جدید بر روی مولفه­های رابطه و مراقبت وساختار تکیه کرده اند.مسئولیت­ پذیری والدینی وصمیمیت از عناصر رابطه و مراقبت­اند وکنترل­های محدودیت از عناصر ساختار محسوب می‌شوند(الکساندر^[۲]،۲۰۰۶). در مطالعه ای که رپینسکی و شانک (۲۰۰۲) بر رویی ۷۶ خانواده (هر دو والد و نوجوانان آن خانواده­ها) انجام دادند، تاثیررفتار گرم و حمایت کننده­ والدین بر سازگاری در مدرسه، عملکرد تحصیلی و مشکلات رفتاری نوجوانان را مورد بررسی قرار دادند، آنان به این نتیجه رسیدند که رفتار والدین بر این متغیرها تاثیر دارد. (تنهایی­رشوانلو، ۱۳۸۷)
همچنین زمینه فرهنگی خانواده، تاثیر مهمی‌در باورهایوالدینبرایپرورشفرزندانداشتهباشد. تفاوت­هایفرهنگی،میتوانندتفاوت­هایخاصیرادراعتقادات،باورهاونگرش­هایوالدیندرموردفرزندان بوجود آورند. مطالعات نشان می‌دهند که والدین با پیشینه و زمینه فرهنگی متفاوت، در درون یک جامعه،در نظرات خود از فرزندپروری و رشد کودک متفاوت می‌باشند(بورنشتین^[۳]،۱۹۹۱، به نقل از تاجری، ۱۳۸۹).

شکل (۳-۳) دیاگرام نوار انرژی برای فرایند تونل زنی بین دوابررسانای مشابه ……………………………………….۶۱

( اینجا فقط تکه ای از متن پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

نمودار ( ۳-۳-) مشخصه I-V پیوندگاه S-I-S …………………………………………………………………………………….61
نمودار ( ۳-۴) مشخصه I-V پیوندگاه جوزفسون (در T=°K) ……………………………………………………………..62
شکل (۳-۴) اسکوئید ……………………………………………………………………………………………………………………….۶۳
شکل ( ۳-۵) نمایشی از پیوند ابررسانا – عایق – ابررسانا بر پایه گرافن …………………………………………………۶۴
نمودار ( ۳-۵) نمودار جریان بحرانی در اتصال SIS پایه گرافن ……………………………………………………………..۶۷
شکل ( ۴-۱) ساختار هندسی گرافن تحت کشش در جهت زیگزاگ ………………………………………………………۷۱
شکل ( ۴-۲) دو نوع از ابرجریان I_s در اتصالات SIS پایه گرافن کش دار …………………………………………….۷۲
نمودار ( ۴-۱) نتایج عددی v_x و v_y برای صفحه گرافنی تحت کشش ……………………………………………………۷۵
نمودار ( ۴-۲) نمودارهای سطح انرژی آندریف در جفت شدگی نوع s ………………………………………………..79
نمودار ( ۴-۳) ابرجریان وابسته به زاویه در دو جهت x و y در جفت شدگی نوع s ………………………………80
نمودار ( ۴-۴) نمودارهای جریانهای بحرانی در دو جهت x و y در جفت شدگی نوع s ……………………….81
شکل ( ۴-۳) نمایی از اتصال S/I/S در پایه گرافن با جفت شدگی نوع d ……………………………………………82
نمودار ( ۴-۵) نمودارهای سطوح انرژی آندریف در جفت شدگی نوع d ………………………………………………88
نمودار ( ۴-۶) نمودار جریان جوزفسون بر حسب اختلاف فاز در جفت شدگی نوع d ………………………….90
نمودار (۴-۷) نمودار جریان جوزفسون بحرانی بر حسب شدت سد در جفت شدگی نوع d ………………..90
چکیده
گرافن بدلیل داشتن ویژگی های منحصر بفرد در سالهای اخیر موضوع مهم تحقیقات قرار گرفته است. چنین خصوصیاتی این ماده را بعنوان نامزدی برای کاربرد در کارهای آتی در الکترونیک مطرح می کند. گرافن اولین مثال از یک بلور دو بعدی واقعی است و این ماده پل جدیدی بین فیزیک ماده چگال و نظریه میدان های کوانتومی است. تک لایه گرافن بصورت نیمه رسانا بدون گاف انرژی و طیف انرژی خطی، دستگاه دو بعدی از فرمیونهای دیراک بدون جرم است که در فهم خصوصیات غیر عادی الکترونی بسیار مهم است. گرافن با بهره گرفتن از اثر مجاورت دارای خاصیت ابررسانایی می شود و انواع پتانسیل های جفت شدگی به این ماده القا می شود. در گرافن تحت کشش، فرمیونهای باردار مانند ذررات نسبیتی بدون جرم و نامتقارن رفتار می کنند و سرعت فرمیونهای بدون جرم به جهت حرکت آنها وابسته می شود. در این تحقیق می توان به مطالعه اثر جوزفسون در پیوندهایی با پایه گرافن تحت کشش با بهره گرفتن از فرمالیسم نسبیتی ابررسانایی (معادله دیراک-باگالیوباف-دی جنیس) پرداخت و بدنبال بدست آوردن طیف انرژی در گرافن هستیم برای زمانیکه کشش به گرافن اعمال می شود. جریان جوزفسون در پیوند دو اتصالی ابر رسانا/عایق/ابررسانا ( S/I/S) با پایه گرافن کش دار را بررسی می کنیم، بطوریکه تقارن جفت شدگی ابر رسانا نوع d در نظر گرفته شده است. با بهره گرفتن از توابع موج نواحی عایق و ابررسانا، طیف انرژی آندریف و جریانهای جوزفسون محاسبه و رسم شده و اثر گرافن کش دار در این ساختار با تغییراتی نسبت به ابررسانای نوع s مشاهده شده است. جریان جوزفسون ناشی از تونل زنی جفتهای کوپر از میان لایه ای است که بین دو اتصال ابررسانا قرار دارد. فرمیونهای ویل – دیراک در گرافن با اتصالات S/I/S (SG گرافن ابررسانایی و I عایق می باشد) در معرض کشش های نامتقارن قوی قرار می گیرند و اثر تغییر متقارن این فرمیونهای تحت کشش برروی ابرجریان مورد مطالعه قرار گرفته می شود.
کلمات کلیدی: جریان جوزفسون - گرافن - ابررسانایی – کشش
مقدمه
در سال های اخیر، تحقیقات گسترده ای در زمینه ی سیستم های نانوساختار انجام شده است. به خصوص با کوچکتر شدن اجزای تشکیل دهنده ی قطعات الکترونیکی، بررسی نانوساختارها اهمیت زیادی در علوم وصنعت پیدا کرده است. از میان انبوهی از نانوساختارها که هر کدام توان بالایی برای استفاده در سیستم های نانو دارند، ساختارهای گرافنی از اهمیت و جایگاه ویژه ای برخوردارند که به دلیل ابعاد بسیار کوچک و خواص الکتریکی جالب و منحصر به فردشان، به عنوان یکی از اجزای اصلی قطعات نانوالکترونیکی مدنظر قرار گرفته اند.
گرافن تک لایه ای از اتم های کربن است، که در یک شبکه شش گوشی منظم شده اند. اتم های کربن با پیوند کوالانسی به یکدیگر پیوند می خورند و یک الکترون از هر اتم کربن باقی می ماند که پیوند برقرار نمی کند. طبیعت دو بعدی گرافن منجر به بسیاری از ویژگی های جالب الاستیکی، گرمایی و الکترونیکی می شود. به عنوان مثال ، یکی از این ویژگی ها آن است که گرافن در دمای اتاق نیز اثر کوانتومی هال را نشان می دهد]۱[. همچنین طول واهلش اسپین، به طور منحصر به فردی بالا بوده و به نزدیک ۱٫۵ میکرومتر می رسد و این امر گرافن را برای کاربردهای اسپینترونیکی بسیار مناسب می سازد]۲[. به این ترتیب کشف گرافن به علت ویژگی های الکترونیکی عالی و پایداری مکانیکی و شیمیایی، شاخه الکترونیک را دگرگون ساخته و راه نوینی را به سوی وسایل الکترونیکی فوق سریع و سنسورهای شیمیایی و زیستی گشوده است]۳[.
امروزه الکترونیک آلی^[۱] شاخه ای جذاب و در حال رشد برای علم و صنعت محسوب می شود. دراین میان، یک خانواده مهم از مواد آلی شامل آلوتروپ های^[۲] کربن است. آلوتروپ های کربن ساختارهای تعریف شده ای شامل اتم های کربن هستند. الماس و گرافیت را می توان شناخته شده ترین اعضای این خانواده دانست. گرافیت طبیعی بیش از چهار صد سال پیش کشف گردید و از آن برای نوشتن استفاده می شد. با این وجود این ماده از قرن بیستم به علت رسانایی بالا، تولید ارزان و وزن کم به صنعت راه یافت]۴[. گرافیت یک ساختار لایه ای، شامل لایه های دو بعدی از اتم های کربن است که به صورت شبکه های شش گوشی قرار گرفته اند. فاصله این لایه ها nm 3/0است]۵[. اگرچه پیوندها در صفحات دو بعدی کووالانسی و قوی هستند، در جهت عمود بر صفحات شاهد پیوندهای ضعیف واندروالسی هستیم. لذا گرافیت رسانای خوبی به شمار می رود. برخلاف گرافیت، در الماس، همه پیوند ها کووالانسی است و در نتیجه هیچ الکترون آزادی وجود ندارد و به همین دلیل رسانایی ضعیف است. همین پیوندها هستند که الماس را به یکی از سخت ترین مواد تبدیل می کنند.
بعدها آلوتروپ های جدیدی از کربن در آزمایشگاه ها تهیه شدند. ابتدا در سال ۱۹۸۰ میلادی، فولرن^[۳] کشف شد که در آن اتم های کربن یک ساختار بسته را تشکیل می دهند. فولرن عمدتا به صورت یک سیستم صفر بعدی رفتار می کند و لذا خواص الکتریکی جالبی دارد. در سال ۱۹۹۰ میلادی نانو لوله های کربنی^[۴] کشف شدند. می توان این ساختار های استوانه ای از اتم های کربن را به عنوان سیستم های یک بعدی در نظر گرفت. کشف فولرن و نانو لوله های کربنی دریچه جدیدی را فراروی الکترونیک بر مبنای کربن گشود. خانواده آلوتروپ های کربن کامل به نظر می رسید و تنها آلوتروپ دو بعدی نداشت. این آلوتروپ دو بعدی، گرافن^[۵] نامیده شد. پس از کشف فولرن و نانو لوله های کربنی، ساختار نواری گرافن با جزئیات بیشتری مورد مطالعه قرار گرفت]۴[، زیرا می توان گرافن را به شکل کره در آورد که فولرن حاصل شود و یا به شکل استوانه ای لوله کرد که نانو لوله های کربنی را نتیجه دهد.
در سال ۲۰۰۴ میلادی نواسلف^[۶] و گایم^[۷] و همکارانشان با جداسازی گرافن در دانشگاه منچستر جامعه علمی را شگفت زده کردند. اساسا علت کشف دیرهنگام گرافن دوچیز بود، اول این که قبل از کشف آن تصور می شد که گرافن ناپایدار است و دوم آن که هیچ ابزار آزمایشگاهی برای نمایش گرافن به ضخامت یک اتم وجود نداشت. دلیل اینکه گرافن بر خلاف پیش بینی های نظری ناپایدار نشد را می توان در ناهمواری های موج گونه ای^[۸] در سطح صفحه گرافن دانست که آن را پایدار می سازند]۶[.
پدیده ابررسانایی که در اوایل قرن بیستم کشف شد شاید اولین پدیده ای باشد که نشان داد قوانین مکانیک کوانتومی می توانند در مقیاس ماکروسکوپی نیز بروز کنند. این پدیده، نمونه بارزی از اشغال ماکروسکوپی حالت کوانتومی منفرد است. به عبارت دیگر خواص غیر عادی (در مقایسه با حالت هنجار) حالت ابررسانایی در نتیجه این امر رخ می دهند. صفر شدن مقاومت نرمال و دیامغناطیس شدن نمونه در حالت ابررسانایی دو مشخصه اصلی این پدیده می باشند. تعداد مقالات چاپ شده در باره پدیده ابررسانایی از اوایل قرن بیستم اکنون بیانگر این است که بی شک یکی از مسائل مهم و مورد علاقه جهان و بویژه علم فیزیک، پدیده ابررسانایی است. تعداد جوایز نوبل که به این موضوع اختصاص یافته در هیچ موضوع دیگری سابقه ندارد.
در سال ۱۹۱۳ میلادی به اونس^[۹] برای کشف ابررسانایی در جیوه، در سال ۱۹۷۲ به باردین^[۱۰]، کوپر^[۱۱] و شریفر^[۱۲] برای ارائه نظریه BCS، در سال ۱۹۷۳ برای ابداع روش تونل زنی در تعیین گاف انرژی به گیاور^[۱۳] و به جوزفسون^[۱۴] برای پیوندگاه جوزفسون و تونل زنی جفت و در سال ۱۹۸۷ به بدنورز^[۱۵] و مولر^[۱۶] برای کشف ابررساناهای دمای بالا.
حتی تصور دست یافتن به چنین تکنولوژیی در دمای اتاق هیجان انگیز است، چون این به معنای رسیدن به مقاومت صفر و دست یابی به شدت جریانها و میدانهای مغناطیسی بسیار بالا در دمای اتاق است که موارد کاربرد بسیاری در علوم و صنایع از جمله خطوط انتقال نیرو، حمل و نقل، پزشکی و ساخت ابرکامپیوترهای قدرتمند و ابرسریع در تکنولوژی آینده دارد. به این معنا انقلاب واقعی در صنعت با کشف پدیده ابررسانایی در دمای اتاق روی خواهد داد. علاوه بر جنبه کاربردی این مواد، فهم عمیقی که پژوهشگران در تلاش برای دستیابی به نظریه ابررسانایی (چه در گذشته برای ابررسانایی متعارف (BCS) و چه در حال برای ابررسانایی دمای بالا) از سیستم های شامل میلیاردها ذره با همبستگی شدید کسب کردند و شاید در تاریخ علم فیزیک ماده چگال بی سابقه باشد. مشکل اساسی در ابررسانایی متعارف، پایین بودن دمای گذار ابررسانایی، T_c در حدود دمای هلیم مایع بود که با پیشرفت های اخیر این دما با کشف سرامیک های ابررسانایی دمای بالا به حدود k 100 (k 135) در ترکیبی از جیوه، که تحت فشارهای خیلی بالا برای این ترکیب اکسید مس جیوه دمای گذار حدود k 165 نیز گزارش شده است) افزایش یافته و آینده روشنی را پیش رو می گذارد]۷[.
در سال ۱۹۰۸ اونس با مایع کردن گاز هلیوم، فیزیک دماهای پایین را بنیان نهاد، او روی اثر دماهای خیلی پایین بر خواص فلزات مطالعه کرد. سه سال بعد او مشاهده کرد که در دمای k 18/4 و کمتر از آن مقاومت الکتریکی جیوه صفر می شود. با این کشف، مبحث ابررسانایی متولد شد. اونس دو سال بعد مشاهده کرد که با اعمال یک میدان مغناطیسی نسبتا قوی می توان جسم را از حالت ابررسانایی خارج کرد.
قبل از سال ۱۹۱۱، حذف مقاومت الکتریکی حتی در بهترین رساناها امکان پذیر نبود، در این سال با کشف پدیده ابررسانایی گونه ای جدید از رساناها تولد یافتند که ابررسانا نامیده می شود.
در سال ۱۹۱۵، حالت ابررسانش عنصر سرب در دمای k 2/7 مشاهده شد. در سال ۱۹۳۰ گینزبرگ^[۱۷] و کیژنیت^[۱۸] دمای بحرانی k 2/9 را برای عنصر نئوبیوم گزارش کردند. اثر مایسنر – اوکسنفلد ^[۱۹] در سال ۱۹۳۲ با مشاهده طرد خطوط شار مغناطیسی از داخل یک کره ابررسانا کشف شد. اثر مایسنر باعث شد تا برادران لندن (فریتز و هاینز^[۲۰]) معادلاتی را پیشنهاد دهند که بر اساس آن می توان این اثر و میزان نفوذ خطوط شار به داخل یک ماده ابررسانا را پیش بینی کرد. پیشرفت نظریه بعدی در سال ۱۹۵۰ توسط گینزبرگ و لاندائو^[۲۱] صورت گرفت. آنها پدیده ابررسانایی را با یک پارامتر نظم توجیه کردند و توانستند معادلات لندن را از این نظریه خود استخراج کنند. در همان سال فروهلیخ^[۲۲] نظریه ای ارائه کرد که براساس آن پیش بینی می شد دمای گذار با افزایش جرم متوسط ایزوتوپی کاهش یابد. این اثر که به اثر ایزوتوپی معروف است در همان سال به صورت تجربی تایید شد. اثر ایزوتوپی زمینه ابررسانایی بر پایه ساز وکار بر هم کنش الکترون – فونون را فراهم آورد.
یک نظریه قابل فهم در توجیه طبیعت ابررسانایی، نظریه میکروسکوپی BCS است. که در سال ۱۹۵۷ ارائه شده است. در این نظریه فرض می شود که زوج هایی از ابرالکترونها که عامل ابرجریان هستند تشکیل می شود و یک گاف انرژی بین حالتهابی برانگیخته و پایه ایجاد می شود. نتایج نظریه برادران لندن و گینزبرگ و لاندائو نیز با این نظریه در تطابق است. نظریه BCS قادر است ساز وکار ابررسانایی در ابررساناهای نوع I را توجیه کند ولی از توجیه کامل خاصیت ابررسانایی در ابررساناهای نوع II عاجز است ]۸[.
پیوندهای جوزفسون در سال ۱۹۶۲ توسط برایان دیوید جوزفسون^[۲۳] تهیه شد. یک پیوند جوزفسون از دو لایه ابررسانا که توسط یک لایه نازک عایق از هم جدا شده اند، الکترونها توانایی عبور از سد عایق را داشته و در نتیجه یک ابرجریان ایجاد می شود.پیوندهای جوزفسون می توانند به عنوان کلیدهای قطع و وصل کلیدخوانی که بر اساس تغییر در مقدار جریان کار می کنند مورد استفاده قرار گیرند.اگر جریان به مقداری بیش از یک مقدار آستانه افزایش یابد، ولتاژ دوسر پیوند سریعا از صفر به مقداری معین تغییر پیدا می کند. اتلاف انرژی در یک پیوند جوزفسون در حدود یک هزارم اندازه مربوط به ترانزیستورهای معمولی است، علاوه براین، عمل کلیدزنی در آنها بسیار بیشتر از ترانزیستورهاست که این مقدار کمتر از ۲ پیکو ثانیه است (یک پیکو ثانیه،یک بیلیونیوم ثانیه است).با توجه به قابلیت‌های بالای چنین قطعاتی از آنها می توان در ساخت وسایل الکترونیکی با سرعت های بالا نظیر رایانه و سیستم های مخابراتی استفاده کرد.
در خاصیت تونل زنی و اثر جوزفسون اگر دو ابررسانا را خیلی به هم نزدیک کنیم، مقداری از جریان یکی به دیگری نشت می کند. در دو سر این تونل یا هیچ ولتاژی وجود ندارد. یعنی میزان جریان نشتی به ولتاژ بستگی ندارد ولی میدان مغناطیسی و تابش مغناطیسی حتی در مقادیر خیلی کوچک به شدت وابسته است. عملکرد ابررسانا در این زمینه تا حدودی شبیه دیودهای نیمه هادی است که به جای اتصال دو نوع نیمه هادی نوع n و p به یکدیگر، دو ابر رسانا با لایه نازکی از عایق اتصال داده می شوند. اتصال جوزفسون کاربردهای زیادی در تکنولوژی ساخت دستگاه های اندازه گیری دارد. و همانطور که گفته شد نوعی کلیدزنی بسیار سریع است و کلیدزنی ولتاژ را تقریبا ۱۰ برابر سریعتر از مدارهای نیمه رسانای متداول انجام می دهد که مزیتی ممتاز برای استفاده در کامپیوتر ها می باشد. از آنجایی که سرعت کامپیوتر وابسته به انتقال پالس از تجهیزات است، سرعت بالای سویچینگ باعث بالا رفتن سرعت کامپیوتر و کوچک شدن حجم کامپیوتر خواهد شد. به علاوه اثر جوزفسون منجر به سرعت و حساسیت بی نظیر ادوات الکتریکی همچون پیوند جوزفسون و ادوات تداخل کوانتوم ابررسانایی^[۲۴] که برای اندازه گیری های مغناطیسی فوق العاده حساس در زمینه ژئوفیزیک، شیمی تجزیه و داروسازی استفاده می شود]۹[.
در این تحقیق اثر جوزفسون در اتصالات پایه گرافن کش دار بررسی می گردد که اتصال مورد نظر ابررسانا - عایق - ابررسانا می باشد. معادله دیراک – باگالیوباف – دی جنیس معادله حاکم بر اتصالات گرافن – ابررسانا و پدیده های مرتبط با آن می باشد که چارچوبی نسبیتی برای تئوری میکروسکوپی ابررسانایی است. اگرچه ابررسانایی ذاتا در گرافن آشکار نمی شود ولی این خاصیت را می توان بواسطه اثر مجاورت با قرار دادن یک الکترود ابررسانا برروی یک پایه گرافن القا کرد. با القای خاصیت ابررسانایی در گرافن سری جدید مطالعات برروی پدیده های مختلف از جمله جریان جوزفسون و اثر آن در اتصالات مختلف که بر پایه گرافن می باشد، آغاز شد و همچنین جفت شدگی های مختلف نیز در گرافن القا می شود]۱۰[. اخیرا خواص الکترونیکی سیستم گرافن تغییر شکل یافته مورد توجه بوده است که با قرار دادن گرافن تحت کشش و تغییر نقطه دیراک وابسته به ذره در ناحیه کشش، یک پتانسیل برداری وابسته به ذره و عمود بر جهت کشش القا می شود که این خود موجب قطبی شدن ذره می گردد که یکی از خواص مهم الکترونیکی ذره ای است]۱۱[. در این پژوهش، پس از توصیف کلی گرافن، ابررسانایی، اثر جوزفسون ودر نهایت گرافن کش دار و تاثیر سرعت نامتقارن فرمیونهای بدون جرم در آن، برروی جریان جوزفسون، اتصالات ابررسانای پایه گرافن بررسی خواهد شد و جریان جوزفسون و نمودارهای مربوط به آن مورد بررسی و بحث قرار خواهد گرفت.
فصل اول: مروری بر گرافن
۱-۱- نانوفناوری
برای درک بهتر اشیاء و فضاها از ابعاد متفاوت و گوناگونی که متناسب با آن فضاست استفاده می کنیم. اگر با دقت در ساختار اتمی مواد و طرز قرارگیری اتم ها بنگریم متوجه خواهیم شد که قطر چند اتم از یک ماده فقط چند میلیاردم متر است. بنابراین بهتر است برای درک بهتر ابعاد اتم ها از مقیاس مناسب تری که همان نانومتر است استفاده کنیم. یک نانومتر یک میلیاردم متر است. این مقدار حدودا چهار برابر قطر یک اتم است. کوچکترین IC امروزی با ابعادی در حدود ۲۵۰ نانومتر در هر لایه به ارتفاع یک اتم، حدود یک میلیون اتم را دربر دارند. در مقایسه یک جسم نانومتری با اندازه ای حدود ۱۰ نانومتر، هزار برابر کوچکتر از یک موی انسان است.
علم بررسی و تحقیق تولید مولکولی یا ساخت اشیاء بصورت اتم به اتم یا مولکول به مولکول را نانوفناوری گویند. بنابراین فناوری نانو درباره ساخت ابزارهای نوین مولکولی منحصربفرد با بکارگیری خواص شیمیایی کاملا شناخته شده اتم ها و مولکولها (نحوه پیوند اتم ها به یکدیگر) صحبت می کند. مهارت اصلی این تکنولوژی دستکاری اتم ها بطور جداگانه و جای دادن دقیق آنها در مکانی است که برای رسیدن به ساختار دلخواه و ایده آل مورد نظر می باشد. بنابراین کار با اتم ها و مولکولها نیازمند استفاده از ابزارها و وسایل در مقیاس اتمی و مولکولی (نانومتر) می باشد.
در فناوری نانو تنها کوچک بودن اندازه مد نظر نیست، بلکه زمانی که اندازه مواد در این مقیاس قرار می گیرد، خصوصیات ذاتی آنها از جمله رنگ، استحکام، مقاومت در برابر خوردگی و … تغییر می یابد. در حقیقت اگر بخواهیم تفاوت این فناوری را با فناوری های دیگر بیان نماییم، می توانیم وجود ” عناصر پایه “را به عنوان یک معیار ذکر کنیم. عناصر پایه در حقیقت همان عناصر نانو مقیاسی هستند که خواص آنها در حالت نانو مقیاس با خواص شان در مقیاس بزرگتر فرق می کند که عبارتند از نانو ذرات، نانو لوله های کربنی، نانوکپسولها. اولین و مهمترین عنصر پایه، نانو ذره است. نانو ذره ذراتی با ابعادی در حدود ۱ تا ۱۰۰ نانومتر و در هر سه بعد می باشد.
۱-۲- اهمیت نانو ابعاد
برای کنترل و دستکاری نانو ساختارها^[۲۵]، امکان بهره برداری از خصوصیات فیزیکی، بیولوژیکی و شیمیایی سیستم هایی که دارای ابعادی میان تک اتم ها، مولکولها و مواد حجیم هستند را فراهم می آوریم. سئوال این است که چرا از ابعاد نانومتری استفاده می کنیم و اهمیت نانو ابعاد در چیست؟ بعضی از دلایل اهمیت نانو ابعاد عیارتند از:
۱) خصوصیات مواد در اندازه های نانومتری دستخوش تغییراتی می شود. با طراحی مواد نانومتری، تغییر در خصوصیات ماکروسکوپیک و میکروسکوپیک ماده مانند رنگ، خواص مغناطیسی، دمای ذوب و … بدون تغییر ترکیبات شیمیایی آن ممکن می شود.
۲) خصوصیات کلیدی مواد بیولوژیکی و زنده، سازماندهی منظم آنها در ابعاد نانومتری است. توسعه در زمینه نانوتکنولوژی به ما اجازه خواهد داد که چیزهای نانوابعادی ساخت بشر را در داخل سلولهای زنده قرار دهیم. همچنین این کار باعث خواهد شد که با بهره گرفتن از خودچینی طبیعت ( تکثیر خودبخودی و منظم مواد بدون دخالت انسان) بتوانیم مواد جدیدی بسازیم. این کار باعث ایجاد ترکیبات بیولوژیکی با علم مواد خواهد شد.
۳) ترکیبات نانومتری دارای نسبت سطح به حج بسیار زیادی هستند. چون حجم کمی دارند اما سطح زیادی را پوشش می دهند، استفاده از آنها در مواد کامپوزیتی، دارورسانی در بدن و ذخیره انرژی به شکل شیمیایی (مانند گاز طبیعی و هیدروژن) بسیار ایده آل خواهد بود.

۲-۲-۱-۳-۱۰. برقراری عدالت
فناوری اطلاعات باعث برقراری عدالت از طریق تسهیم کار توسط سیستمهای نرمافزاری و سختافزاری میشود؛ مثلاً
سیستم ورودی و خروجی
سیستمهای نرم افزاری محاسبه روز کاری، برآورد مرخصی استحلاجی و استحقاقی و…(پورکیانی و فرح بخش،۶:۱۳۹۱).
۲-۲-۱-۳-۱۱. برقراری نظم بیشتر
نوعی پیوند و همکاری بین اجزای یک مجموعه در راستای تحقق هدفی معین، به گونهای که هر جزعی از اجزاء مکمل دیگری بوده و فقدان هر جزء موجب میشود که مجموعه اثر مطلوب اثر مطلوب و هدف مورد نظر را فاقد باشد (سبحانی،۲:۱۳۹۱).
ارتباط هماهنگ میان دو یا چند چیز بر پایه اصل علیت (ربانی،۱:۱۳۹۲).
گردآوردن، پیوست نمودن و مقارنت دادن بین اشیای گوناگون است. قرار گرفتن هر چیز در جای معین و مشخص، استفاده شایسته از هر چیز (سید ابراهیم، سایت،۲۵آذر ۱۳۹۲).
۲-۲-۲- تحلیلهای نظری موجود در خصوص ارتباط بین فناوری اطلاعات و مدیریت منابع انسانی:
۲-۲-۲-۱. بررسی تأثیر استفاده از فناوری اطلاعات بر عملکرد عملیاتی و عملکرد استراتژیک واحد
مدیریت منابع انسانی در شرکتهای خودروسازی و قطعهسازی تهران
نمودار(۲-۱)تأثیر فناوری اطلاعات بر عملکرد عملیاتی و عملکرد استراتژیک مدیریت منابع انسانی
در این پژوهش با بهره گرفتن از آمار و تحقیق به این نتیجه رسیدهاند، استفاده از فناوری اطلاعات تأثیر مثبت و معناداری در افزایش عملکرد عملیاتی مدیریت منابع انسانی دارد. و نتیجه دیگری که بدست آمده، استفاده از فناوری اطلاعات تأثیر مثبت و معناداری در افزایش عملکرد استراتژیک مدیریت منابع انسانی دارد، تأکید میشود(جعفری ودیگران،۱۳:۱۳۹۰-۹).
۲-۲-۲-۲.بررسی موانع توسعه فناوری اطلاعات در فرایند یاددهی-یادگیری از دیدگاه مدیران و دبیران
نمودار (۲-۲) مدل توسعه پویایی فناوری اطلاعات
در این تحقیق به بررسی موانع تکنولوژی توسعه ارتباطات^[۲۲] درفرایند یاددهی- یادگیری در هر پنج متغیر پرداخته شده که شامل:
الف) توسعه منابع انسانی شامل:
توسعه سواد اطلاعاتی کارکنان مؤسسات آموزشی
توسعه سواد اطلاعاتی فراگیر مؤسسات آموزشی
ب) توسعه سیاستها شامل:
۱- سیاست ملی توسعه فناوری اطلاعات در آموزش
۲- سیاست مراکز آموزشی برای توسعه فناوری اطلاعات

( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

ج) توسعه نهادها شامل:
۱- نهادهای آموزشی مبتنی بر فناوری اطلاعات
۲- مشارکت بخش خصوصی در دستبابی به آموزش مبتنی بر فناوری اطلاعات
د) توسعه محتوا و کاربردها شامل:
۱- برنامههای آموزشی مرتبط با فناوری اطلاعات
۲- برنامههای آموزشی مبتنی بر محیطهای چند رسانهای
ه) توسعه زیر ساختها و تجهیزات شامل:
۱- زیر ساخت فناوری ارتباطات در آموزش
۲- دسترسی به شبکه های اطلاعاتی در آموزش
در این تحقیق موانع اصلی به کارگیری اینترنت تکنولوژی ارتباطات را از قبیل تعداد کم رایانهها، دانش اندک و مهارت اندک معلمان، دشواری شیوه تلفیق اینترنت تکنولوژی ارتباطات با آموزش، زمانبندی استفاده از رایانه، کمبود لوازم جانبی، کمبود نسخه های نرم افزاری و وقت کم معلم، کافی نبودن زمان دسترسی همزمان و کمبود بازرس و کمکهای فنی عنوان کرده است.
۲-۲-۲-۳. استراتژیک منابع انسانی
در پژوهش خود بیان کردهاند، اگر روندهای فعلی ادامه یابند، مدیریت منابع انسانی به یک وظیفه کاملاً مدیریتی تبدیل خواهد شد که سیستم های منابع انسانی مبتنی بر فناوری اطلاعات را مدیریت خواهد نمود؛ یا به طور جایگزین مدیریت منابع انسانی میتوند با کمک فناوری مدیریت منابع انسانی الکترونیک، به محرکی برای اثر بخشی سازمانی و استراتژی کسب و کار تبدیل شود (لاولر و موهرمن^[۲۳]، ۲۰۰۳).
۲-۲-۲-۴. مدل این تحقیق
مدل سازی تأثیر مؤلفه های فناوری اطلاعات بر روی عناصر کارکردی مدیریت منابع انسانی در بانک انصار استان کرمانشاه.
دقت در انجام عملکرد عمرد
انگیزش کارکنان
خلاصه سازی
سرعت در انجام عملکرد
یکپارچه سازی
کارایی اثربخشی
آموزش کارکنان
شفافیت در سیستم
انتقال اطلاعات
انضباط کارکنان
ارزیابی دقیق و سریع

احترام

۸۹/۰

۷

عدالت تعاملی

۸۹/۰

۹

عدالت رویه ای

۸۸/۰

۶

عدالت توزیعی

۸۳/۰

۵

جدول­ شماره ۳-۱: آلفای کرانباخ
۳-۵)روش تجزیه و تحلیل داده ها
در این تحقیق از تکنیک­های موجود در آمار توصیفی و استنباطی استفاده شده است. به یک مجموعه از مفاهیم و روش­های بکار گرفته شده جهت سازمان دادن، خلاصه کردن، تهیه جدول، رسم نمودار و توصیف داده ­های جمع­آوری شده آمار توصیفی گفته می­ شود (خاکی؛۲۸۵:۱۳۸۸). آمار توصیفی برای تبیین وضعیت پدیده یا مساله یا موضوع مورد مطالعه مورد استفاده قرار می­گیرد یا در واقع ویژگی­های مورد مطالعه به زبان آمار تصویر سازی و توصیف می­گردد (حافظ نیا؛ ۱۳۷:۱۳۸۳). در این تحقیق در مرحله اول تجزیه­و­تحلیل داده ­ها، با بهره گرفتن از روش­های آمار توصیفی به بیان خواص نمونه مورد مطالعه پرداخته می­ شود. گام بعدی جهت تجزیه­وتحلیل داده ­ها استفاده از تکنیک­های آمار استنباطی می­باشد. در تحلیل­های آمار استنباطی همواره نظر بر این است که نتایج حاصل از مطالعه گروه کوچکی به نام نمونه چگونه به گروه بزرگ­تری به نام جامعه تعمیم داده شود (حافظ نیا؛۲۴۲:۱۳۸۳). و به منظور تجزیه و تحلیل استنباطی داده ­ها از مدل معادلات ساختاری و نرم افزار Lisrel استفاده می­ شود.

(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

فصل چهارم
تجزیه و تحلیل داده ­ها
۴-۱) مقدمه
تجزیه و تحلیل داده ها به منظور بررسی صحت و سقم فرضیه ها برای هر نوع تحقیق، از اهمیت خاصی برخوردار است. داده های خام با بهره گرفتن از فنون آماری مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرند و پس از پردازش به شکل اطلاعات در اختیار استفاده کنندگان قرار می گیرند. برای تجزیه و تحلیل داده ها و اطلاعات، مطابق اهداف ارائه شده، ابتدا میزان و یا مقدار هر متغیر بر اساس داده ها و امتیازات حاصل از پرسشنامه مشخص شد. سپس توصیف اطلاعات حاصل شده در قالب جداول و نمودارهای توصیفی، دیدگاه کلی از چگونگی توزیع آن ها را ایجاد نموده که می تواند در چگونگی استفاده از الگو های آماری گوناگون کمک نماید. در گام بعدی به آزمون فرضیه های تحقیق پرداخته شد و در نهایت با جمع بندی وتجزیه و تحلیل اطلاعات خاتمه یافت. کلیۀ این تجزیه و تحلیل ها به وسیلۀ نرم افزار SPSS19 و LISREL 8.54 انجام گردیده است.
۴-۲) توصیف متغیرهای تحقیق

• توصیف متغیر رفتار شهروندی سازمانی

جدول۴-۱) توصیف متغیر رفتار شهروندی سازمانی

تعداد

کمترین

بیشترین

میانگین

انحراف معیار

وایانس

خسارت پنهان (مخفی یا داخلی) که احتمالاً ماهیت فیزیولوژیکی دارد و اثرات آن در قالب کاهش بنیه جوانه‌زنی، افزایش زمان تا رسیدگی و کاهش عملکرد بروز می کند (نصیری، ۱۳۸۴(.

عوامل یا مراحل فیزیولوژیکی جوانه زدن بذر

فرایند جوانه‌زنی می‌تواند به چندین مرحله پی در پی و جدا از هم ولی همزمان تقسیم شود که عبارتند از:
مرحله اول- بیدار شدن یا فعال شدن: اولین عملی که در این مرحله انجام می‌شود جذب آب توسط بذر خشک است. میزان جذب آب به سه عامل زیر بستگی دارد:
۱- ترکیب بذر ۲- نفوذپذیری پوسته بذر ۳- میزان دسترسی بذر به آب
مرحله دوم- هضم و انتقال: در این مرحله چربی‌ها، پروتئین‌ها و کربوهیدرات‌ها که در اندوسپرم، لپه و پریسپرم وجود دارند به مواد شیمیایی ساده‌تری تبدیل و به نقاط رشد محور جنین انتقال می‌یابند. این روند بستگی به نوع مواد ذخیره شده در بذر دارد (نصیری، ۱۳۸۴).
مرحله سوم- رشد نهال‌‌: در این مرحله در نتیجه تقسیم یاخته‌‌ای در نقاط رشد جداگانه محور جنینی، نمو نهال حاصله، آغاز می‌گردد و پس از آن ساختارهای نهال توسعه می‌یابند (نصیری، ۱۳۸۴(.
مراحل سبز شدن بذر بدین ترتیب است که بذر ابتدا آب جذب می‌کند و در نتیجه در داخل آن آنزیم‌هائی تولید می‌شود که مواد غذائی غیرمحلول را به مواد غذائی محلول و قابل جذب تبدیل می‌کند. این مواد به نقاط مریستمی جنین انتقال می‌یابند و انرژی و مواد لازم برای رشد را تامین می‌نمایند.

( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

جوانه بذر بستگی به قوه نامه بذر (Viability)و در صورت موجود بودن از بین رفتن رکود بذر (Dormancy) و شرایط محیطی مناسب دارد بدین معنی که آغاز شدن جوانه‌زنی به تامین سه شرط نیازمند می‌باشد:
اول‌‌: بذر باید قوه نامیه داشته باشد یعنی جنین زنده بوده و قادر به جوانه زدن باشد.
دوم: بذر باید غیر راکد بوده و هیچ مانع ایجادکننده رکود فیزیکی و شیمیایی برای جوانه‌زنی نداشته باشد.
سوم: بذر باید با شرایط مساعد محیطی که قبلاً شرح داده شده است روبرو گردد. چون بین محیط و شرایط رکود بذر واکنش متقابل وجود دارد نیازهای محیطی ممکن است با گذشت زمان و روش کار با بذر تغییر کند، از این رو گاهی پرهیز از رکود ممکن است با ایجاد شرایط مناسب محیطی نیز تامین شود (قاسمی، ۱۳۸۶).
معمول‌ترین راه تعیین قوه نامه بذر عبارت است از تعیین درصد بذوری است که جوانه زده و تولید نهال بذری طبیعی می‌کنند. به عبارت دیگر قوه نامه عبارت است از نسبت تعداد دانه‌هایی که در طول مدت معینی سبز می‌شوند به تعداد یکصد دانه‌‌ای که برای آزمایش کشت شده است. مدت سبز شدن، بسته به جنس بذر، متفاوت است عواملی که در قوه نامیه بذر دخالت دارند عبارتند از:
- محل نگهداری بذر، نوع گیاه، میزان رطوبت بذر و تهویه انبار.
- محل نگهداری بذر: محیط گرم و مرطوب موجب می‌شود که بذرها زودتر قوه نامیه خود را از دست بدهند در حالیکه محیط سرد و خشک موجب دوام قوه نامیه می‌شود.
- نوع گیاه: هرچه غلاف دانه سخت‌تر و محکم‌تر باشد به همان میزان قوه نامیه مدت بیشتری حفظ
می‌گردد. دانه‌های روغنی بعلت فعل و انفعالات شیمیایی روغن موجود در دانه، قوه نامه خود را زودتر از دست می‌دهند.
- میزان رطوبت بذر: هر اندازه میزان رطوبت دانه‌های بذر بیشتر باشد به همان اندازه فساد و خراب شدن دانه‌ها بیشتر است (نصیری، ۱۳۸۴(.
- تهویه انبار: بذور نگهداری شده در انبارهایی که عمل تهویه در آنها به خوبی انجام پذیرد قوه نامیه خود را برای مدت بیشتری حفظ خواهند نمود. هرچه شرایط انبار در جهتی باشد که تنفس بذر را به حداقل برساند عمر بذر در انبار بیشتر می‌شود، زیرا مهمترین عوامل موثر در تنفس بذر عبارتند از دما، رطوبت نسبی انبار و غلظت گازهای اکسیژن و انیدریدکربنیک، مهمترین دما برای برای انبار کردن بذر حدود ۰ تا ۱۸- درجه سانتی‌گراد در رطوبت نسبی ۴ تا ۶ درصد است هر چند که بعضی از بذور مانند بذر مرکبات در رطوبت‌های کم قوه نامیه خود را از دست می‌دهند. از دو عامل رطوبت نسبی و دما میزان رطوبت نسبی در کنترل تنفس اهمیت بیشتری دارد. ضمناً غلظت گاز اکسیژن درون انبار نباید از ۲ درصد کمتر بوده و غلظت گاز انیدریدکربنیک از ۵ درصد بیشتر نباشد در عمل شرایط لازم برای انبار کردن بستگی به نوع بذور و طول مدت انبار کردن دارد (قاسمی، ۱۳۸۶).

مواد شیمیایی تحریک‌کننده جوانه‌زنی

جیبرلین‌ها

جیبرلین‌ها نظیر تیواوره به شکل گسترده در آزمایش‌های معمولی جوانه‌زنی استفاده نمی‌شود، اما ممکن است در برخی موارد مفید واقع شوند. تعدادی از جیبرلین‌ها تحریک‌کننده جوانه‌زنی هستند اما اسید جیبرلیک (CA3)بیشترین مورد استفاده را در این زمینه دارد (قاسمی، ۱۳۸۶).

سیتوکینین‌ها

سیتوکینین‌ها گروه دیگری از هورمون‌های داخلی هستند که سبب افزایش جوانه‌زنی در برخی گونه‌ها می‌شوند. کینتین (۶-فورفوریل آمینو پورین) شناخته‌شده‌ترین این ترکیبات است. سیتوکینین‌ها می‌توانند باعث شکستن کمون اولیه برخی از بذرها شوند. همچنین به نظر می‌رسد این ماده در شکستن کمون ثانویه بذرها بسیار موثر است (Tobe, K., L. Zhang, and K. Omasa. 1999).

اتیلن

علاوه بر اثر اتیلن (C2H4) بر رسیدن میوه، کمون جوانه، ریزش برگ و سایر فرایندهای رشد، اثر تحریک‌کنندگی اتیلن بر جوانه‌زنی بسیاری از گونه‌ها نیز مشخص شده است. اگرچه اثر اتیلن صرفاً به کمون محدود نشده است، اما ظاهراً در تنظیم کمون بذر دخالت دارد. ثابت شده است که اتیلن سرعت جوانه‌زنی بذرهای مسن و همچنین نارس را افزایش می‌دهد. همچنین مشخص شده که اتیلن در حین جوانه‌زنی بذر چندین گونه آزاد می‌شود. همچنین اتیلن می‌تواند همراه با جیبرلین و نور قرمز بر جوانه‌زنی بذرهای کاهو اثر تشدیدکننده داشته باشد. یکی از حدسیات این است که اتیلن و نیترات در تحریک جوانه‌زنی بذرها اثر متقابل دارند. امروزه از اتیلن در آزمون‌های بذر و برای شکستن کمون بذرهای بادام زمینی و آفتابگردان استفاده می‌شود )قاسمی، ۱۳۸۶).

پراکسید هیدروژن

اثر تحریک‌کننده پراکسید هیدروژن (H2O2=Hydrogen peroxide) بر جوانه‌زنی بذر و متعاقب آن بنیه گیاهچه حاصل، در برخی از گونه‌ها از جمله بسیاری ازکاج‌ها، بقولات و گوجه فرنگی و جو مشخص شده است. پراکسید هیدروژن همچنین خواص ضدعفونی کنندگی داشته و می‌تواند با هدف ضد عفونی بذر به منظور جلوگیری از رشد کپک‌ها بر روی بذر و در محیط جوانه‌زنی استفاده می‌شود (قاسمی، ۱۳۸۶).

اکسین‌ها

اکسین‌ها و سایر تنظیم‌کننده‌های رشد یکی از اجزای عمومی گیاهان و از اجزای مشترک تشکیل‌‌‌‌دهنده بذرها هستند. نظر به حضور آن‌ها در بذرها و نقش آن‌ها به عنوان تنظیم کننده‌های رشد گیاه، تعجب‌آور نیست که این مواد جوانه‌زنی را نیز تحت تاثیر قرار دهند (قاسمی، ۱۳۸۶).

نیترات پتاسیم

نیترات پتاسیم (kno3) پرمصرف‌ترین ماده شیمیایی برای افزایش جوانه‌زنی بذرها است. استفاده از محلول ۱/۰ تا ۲/۰ درصد نیترات پتاسیم در آزمایش‌های جوانه‌زنی معمولی عمومیت دارد و توسط انجمن‌های AOSA و ISTAبرای آزمایش‌های جوانه‌زنی بسیاری از گونه‌ها توصیه شده است. بسیاری از بذرهای حساس به نور به نیترات پتاسیم نیز حساس هستند (قاسمی، ۱۳۸۶).

تیواوره

اگرچه استفاده از این ماده همانند نیترات پتاسیم در آزمایش‌های معمول جوانه‌زنی عمومیت ندارد، اما قادر به افزایش جوانه‌زنی برخی از بذرها است. بر خلاف نیترات پتاسم، تیواوره می‌تواند جایگزین نیاز نوری و دمایی در طی جوانه‌زنی بذر گردد و چه بسا به عنوان جایگزین احتمالی نیاز نوری و دمایی در آن دسته از فرایندهای فیزیولوژیک شود که ‌به طور طبیعی در طی پس رسی اتفاق می‌افتد. گزارش شده که تیواوره جایگزین محرک رشدی می‌شود که در حالت طبیعی در طی استراتیفیکاسیون بروز می‌یابد (قاسمی، ۱۳۸۶).

سایر مواد شیمیایی

سایر ترکیبات شیمیایی نیز ممکن است در حالت طبیعی، سبب افزایش جوانه‌زنی شوند. پدیده آللوپاتی حاکی از آن است که بسیاری از گیاهان مواد شیمیایی را تولید می‌کنند که یا از جوانه‌زنی بذرها جلوگیری می‌کنند و یا جوانه‌زنی را به تاخیر می‌اندازند )قاسمی، ۱۳۸۶).

طبقات بذر

در اصلاح نباتات معمولاً برای تولید بذور آنها را به شرح زیر طبقه‌بندی می‌نمایند که به تعدادی از آنها اشاره می‌کنیم: بذور پرورده یک ۱ Breeder یا بذر نوکلئوس Nucleus، بذور پرورده دو Breeder 2 بذر مادر، بذور پرورده سه Breeder 3 سوپرالیت Super Elite، بذور اصیل یا مادریRegisteres الیت Elite‌‌، بذور گواهی شده Certified seed، بذر مرغوب بذر تجارتی Commerical Seed می‌باشد (نصیری، ۱۳۸۴(.
اصول بوجاری بذر
دست‌اندرکاران بوجاری بذر هنگام تمیز کردن بذر ۵ هدف را دنبال می‌کنند که عبارتند از:
جداسازی کامل: برداشتن و حذف کلیه مواد آلوده‌کننده
به حداقل رساندن تلفات بذر: مقداری از بذرهای خوب هنگام عملیات بوجاری همراه با مواد آلوده‌کننده حذف می‌شوند و این تلفات بذر باید به حداقل برسد.
افزایش کیفیت بذر Upgrading‌‌: بهبود کیفیت بذر به وسیله حذف بذرهای فاسد، ترک‌خورده، شکسته، آفت‌زده یا صدمه‌دیده یا بذرهای کم‌کیفیت صورت می‌گیرد.
کارایی: بالا بردن ظرفیت بوجاری همراه با بوجاری خوب بذرها.
به حداقل رساندن مقدار کار مورد نیاز (سخاوتی و همکاران، ۱۳۹۰).
در جریان بوجاری، کیفیت بذر به دو طریق بهبود می‌یابد:
جدا کردن بذر سایر گیاهان، علف‌های هرز و مواد خارجی
لفزایش کیفیت یا حذف بذرهای با کیفیت پایین.
هدف نهایی بوجاری، به دست آوردن حداکثر درصد خلوص بذر با حداکثر توان جوانه‌زنی است. این مفهوم در قالب “درصد خلوص بذر زندهPure live seed percentage ” بیان می‌شود. مقدار این خلوص با ضرب کردن درصد خلوص و درصد جوانه‌زنی محاسبه می‌شود (سخاوتی و همکاران، ۱۳۹۰).
مثال:
(۳۵/۸۸%) بذر زنده خالص = (۹۳%) درصد جوانه‌زنی x(95%)مقدار خلوص بذر